SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Коэффициент емкости Состояние коэффициента емкости Q@Вр,Ф
BZX84J-C68,115 NXP Semiconductors BZX84J-C68,115 0,0300
запросить цену
ECAD 30 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 550 мВт СОД-323Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX84J-C68,115-954 11 823 1,1 В @ 100 мА 50 нА при 47,6 В 68 В 160 Ом
BZX79-C5V6,143 NXP Semiconductors BZX79-C5V6,143 -
запросить цену
ECAD 5295 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой BZX79-C5V6 400 мВт АЛФ2 скачать 0000.00.0000 1 900 мВ при 10 мА 1 мкА при 2 В 5,6 В 40 Ом
NZH10C,115 NXP Semiconductors НЖ10С,115 0,0200
запросить цену
ECAD 30 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±3% -55°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СОД-123Ф 500 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-НЖ10С,115-954 1 900 мВ при 10 мА 200 нА при 7 В 10 В 8 Ом
BZX79-B75,133 NXP Semiconductors BZX79-B75,133 0,0200
запросить цену
ECAD 74 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗС79-Б75,133-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 52,5 В 75 В 255 Ом
BZX84-C27,215 NXP Semiconductors BZX84-C27,215 -
запросить цену
ECAD 2500 0,00000000 НХП Полупроводники БЗХ84 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 250 мВт ТО-236АБ - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-BZX84-C27,215-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 18,9 В 27 В 80 Ом
BAS321115 NXP Semiconductors БАС321115 1,0000
запросить цену
ECAD 1886 г. 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать EAR99 8541.10.0070 1
NZX14C,133 NXP Semiconductors NZX14C,133 0,0200
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-НЗС14К, 133-954 1 1,5 В при 200 мА 50 нА при 9,8 В 14 В 35 Ом
BZV85-C4V3,113 NXP Semiconductors БЗВ85-С4В3,113 0,0300
запросить цену
ECAD 30 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1,3 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ85-С4В3,113-954 1 1 В при 50 мА 5 мкА при 1 В 4,3 В 13 Ом
BZT52H-C6V2,115 NXP Semiconductors BZT52H-C6V2,115 0,0200
запросить цену
ECAD 41 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С (ТА) Поверхностный монтаж СОД-123Ф БЗТ52 375 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗТ52Х-С6В2,115-954 1 900 мВ при 10 мА 3 мкА при 4 В 6,2 В 10 Ом
BZV55-B27,115 NXP Semiconductors БЗВ55-Б27,115 0,0200
запросить цену
ECAD 125 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-Б27,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 18,9 В 27 В 80 Ом
NZX16C,133 NXP Semiconductors NZX16C,133 0,0200
запросить цену
ECAD 26 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -55°С ~ 175°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-НЗС16К, 133-954 1 1,5 В при 200 мА 50 нА при 11,2 В 16 В 45 Ом
BB131,115 NXP Semiconductors BB131,115 0,1000
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Устаревший -55°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 СОД-323 скачать не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ББ131,115 EAR99 8541.10.0070 1 1,055 пФ при 28 В, 1 МГц Одинокий 30 В 16 С0,5/С28 -
BAV102,115 NXP Semiconductors БАБ102,115 0,0300
запросить цену
ECAD 52 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 Стандартный ЛЛДС; МиниМелф скачать REACH не касается 2156-БАВ102,115-954 11 357 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 150 В 1,25 В при 200 мА 50 нс 100 нА при 150 В 175°С (макс.) 250 мА 5 пФ @ 0 В, 1 МГц
BAS16,235 NXP Semiconductors 16 235 базовых песо 0,0200
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BAS16 Масса Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БАС16 Стандартный ТО-236АБ скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БАС16,235-954 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 100 В 1,25 В при 150 мА 4 нс 500 нА при 80 В 150°С (макс.) 215 мА 1,5 пФ @ 0 В, 1 МГц
BLC6G27LS-100,118 NXP Semiconductors BLC6G27LS-100,118 563.3800
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 НХП Полупроводники * Масса Активный скачать Поставщик не определен REACH не касается 2156-BLC6G27LS-100,118-954 1
BZX79-C3V3,133 NXP Semiconductors BZX79-C3V3,133 0,0200
запросить цену
ECAD 170 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C3V3,133-954 0000.00.0000 1 900 мВ при 10 мА 5 мкА при 1 В 3,3 В 95 Ом
PNS40010ER,115 NXP Semiconductors PNS40010ER,115 -
запросить цену
ECAD 6908 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СОД-123W Стандартный СОД-123W - Поставщик не определен REACH не касается 2156-ПНС40010ЭР,115-954 1 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 400 В 1,1 В при 1 А 1,8 мкс 1 мкА при 400 В 175°С (макс.) 20пФ @ 4В, 1МГц
BZV55-B75,115 NXP Semiconductors БЗВ55-Б75,115 -
запросить цену
ECAD 5152 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С Поверхностный монтаж ДО-213АС, МИНИ-МЭЛФ, СОД-80 500 мВт ЛЛДС; МиниМелф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ55-Б75,115-954 0000.00.0000 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 52,5 В 75 В 255 Ом
BZX884-C6V2,315 NXP Semiconductors BZX884-C6V2,315 -
запросить цену
ECAD 5365 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±5% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОД-882 250 мВт DFN1006-2 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-BZX884-C6V2,315-954 1 900 мВ при 10 мА 3 мкА при 4 В 6,2 В 10 Ом
BZT52H-B68,115 NXP Semiconductors БЗТ52Х-Б68,115 -
запросить цену
ECAD 6010 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С (ТА) Поверхностный монтаж СОД-123Ф БЗТ52 375 мВт СОД-123Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗТ52Х-Б68,115-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 47,6 В 68 В 160 Ом
BZX79-B15143 NXP Semiconductors BZX79-B15143 -
запросить цену
ECAD 2053 0,00000000 НХП Полупроводники БЗХ79 Масса Активный ±2% -65°С ~ 200°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-BZX79-B15143-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 10,5 В 15 В 30 Ом
BZV85-C9V1,113 NXP Semiconductors БЗВ85-С9В1,113 0,0400
запросить цену
ECAD 107 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1,3 Вт ДО-41 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ85-С9В1,113-954 1 1 В при 50 мА 700 нА при 6,5 В 9,1 В 5 Ом
BZX79-C75,133 NXP Semiconductors BZX79-C75,133 0,0200
запросить цену
ECAD 70 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 200°С Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 400 мВт АЛФ2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-BZX79-C75,133-954 1 900 мВ при 10 мА 50 нА при 52,5 В 75 В 255 Ом
PMEG2005AEL,315 NXP Semiconductors ПМЭГ2005АЕЛ,315 0,0400
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Поверхностный монтаж СОД-882 Шоттки DFN1006-2 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-PMEG2005AEL, 315-954 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 20 В 440 мВ при 500 мА 1,5 мА при 20 В 150°С (макс.) 500 мА 25пФ @ 1В, 1МГц
PZU7.5B3A,115 NXP Semiconductors ПЗУ7.5Б3А,115 -
запросить цену
ECAD 9829 0,00000000 НХП Полупроводники Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный ±2% 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 320 мВт СОД-323 - не соответствует RoHS Поставщик не определен 2156-ПЗУ7.5Б3А,115-954 1 1,1 В @ 100 мА 500 нА при 4 В 7,5 В 10 Ом
BZV49-C47,115 NXP Semiconductors БЗВ49-С47,115 0,1600
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-243АА 1 Вт СОТ-89 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-БЗВ49-С47,115-954 1 1 В при 50 мА 50 нА при 32,9 В 47 В 170 Ом
PZU24B1,115 NXP Semiconductors ПЗУ24Б1,115 0,0300
запросить цену
ECAD 59 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж СК-90, СОД-323Ф 310 мВт СОД-323Ф скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 2156-ПЗУ24Б1,115-954 1 1,1 В @ 100 мА 50 нА при 19 В 24 В 30 Ом
BZB84-C68,215 NXP Semiconductors БЗБ84-С68,215 1,0000
запросить цену
ECAD 6985 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% - Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БЗБ84-С68 300 мВт ТО-236АБ скачать 0000.00.0000 1 1 пара общего анода 900 мВ при 10 мА 50 нА при 47,6 В 68 В 240 Ом
1N4531133 NXP Semiconductors 1N4531133 -
запросить цену
ECAD 9164 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ДО-204АГ, ДО-34, Осевой Стандартный ДО-34 скачать EAR99 8541.10.0070 1 75 В 1 В при 10 мА 4 нс 25 нА при 20 В 200°С (макс.) 4пФ @ 0В, 1МГц
BZB84-C2V7,215 NXP Semiconductors BZB84-C2V7,215 -
запросить цену
ECAD 4810 0,00000000 НХП Полупроводники - Масса Активный ±5% - Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 БЗБ84-Ц2В7 300 мВт ТО-236АБ скачать 0000.00.0000 1 1 пара общего анода 900 мВ при 10 мА 20 мкА при 1 В 2,7 В 100 Ом
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе