SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
DSC1100NL5-PROG Microchip Technology DSC1100NL5-Prog 2.9520
RFQ
ECAD 7440 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1100 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC1100 - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-dsc1100nl5-prog Ear99 8542.39.0001 50 - Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) - Мемс ± 10PPM - -
DSC1101AL3-PROG Microchip Technology DSC1101AL3-Prog 1.0800
RFQ
ECAD 4988 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-vdfn otkrыtaiNAN Xo (Стандарт) DSC1101 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-DSC1101AL3-Prog Ear99 8542.39.0001 50 Rushyme oshydanyna (Power Down) Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс ± 20 aSteй naйцaх - 3,3 мг ~ 170 мг -
DSC1000AL5-PROG Microchip Technology DSC1000AL5-Prog 1.8120
RFQ
ECAD 7042 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC100 Трубка Актифен - - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-vdfn oftkrыtaiNaiN-ploщadka - DSC1000 - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-DSC1000AL5-Prog Ear99 8542.39.0001 50 - Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) - Мемс - - -
DSC1000DL5-PROG Microchip Technology DSC1000DL5-Prog 1.6680
RFQ
ECAD 5327 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC100 Трубка Актифен - - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-VDFN - DSC1000 - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-dsc1000dl5-prog Ear99 8542.39.0001 140 - Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) - Мемс - - -
DSC1101DL5-PROG Microchip Technology DSC1101DL5-Prog 1.7280
RFQ
ECAD 5085 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC1101 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-DSC1101DL5-Prog Ear99 8542.39.0001 140 Rushyme oshydanyna (Power Down) Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс ± 10PPM - 3,3 мг ~ 170 мг -
DSC1100CL5-PROG Microchip Technology DSC1100CL5-Prog 2.7840
RFQ
ECAD 4867 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1100 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC1100 - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-dsc1100cl5-prog Ear99 8542.39.0001 110 - Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) - Мемс ± 10PPM - -
DSC6003JA3B-PROGT Microchip Technology DSC6003JA3B-Progt 1.5300
RFQ
ECAD 298 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XXB Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-VLGA Xo (Стандарт) DSC6003 CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 2 К. ± 20 aSteй naйцaх
DSC1101CL5-PROGT Microchip Technology DSC1101CL5-Progt 2.4700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1101 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC1101 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс - - 2,3 мг ~ 170 мг ± 10PPM
DSC1100BL5-PROGT Microchip Technology DSC1100BL5-Progt 4.0700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1100 Lenta и катахка (tr) Актифен - - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN - DSC1100 - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) - - - - -
DSC1100AL5-PROGT Microchip Technology DSC1100AL5-Progt 42000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1100 Lenta и катахка (tr) Актифен - - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-vdfn otkrыtaiNAN - DSC1100 - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 - Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) - - - - -
DSC6001MA3B-PROGT Microchip Technology DSC6001MA3B-Progt 1.6600
RFQ
ECAD 545 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XXB Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-VFLGA Xo (Стандарт) DSC6001 CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 2 К. ± 20 aSteй naйцaх
DSC1101AM2-PROG Microchip Technology DSC1101AM2-PROG 2.3700
RFQ
ECAD 450 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-vdfn otkrыtaiNAN Xo (Стандарт) CMOS 2,25 -3,6 В. - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-DSC1101AM2-PROG Ear99 8542.39.0001 50 Rushyme oshydanyna (Power Down) Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс - - 95 мка 3,3 мг ~ 170 мг ± 25plm
DSC6003JA3B-PROG Microchip Technology DSC6003JA3B-PROG 14000
RFQ
ECAD 700 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XXB Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-VLGA Xo (Стандарт) DSC6003 CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - ± 20 aSteй naйцaх
DSC6101JI2A-000.0000 Microchip Technology DSC6101JI2A-000.0000 -
RFQ
ECAD 7064 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC6001HI1A-000.0000T Microchip Technology DSC6001HI1A-000.0000T -
RFQ
ECAD 7865 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 50 млр
DSC6011CI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6011CI2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 4166 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 25plm
DSC6011HE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6011HE2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 2317 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 25plm
DSC6013MI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6013MI2A-000.0000T 1.5700
RFQ
ECAD 900 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 25plm
DSC6102CI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6102CI2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 6713 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC6001CI2A-000.0000 Microchip Technology DSC6001CI2A-000.0000 -
RFQ
ECAD 3966 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 25plm
DSC6011JE1A-000.0000 Microchip Technology DSC6011JE1A-000.0000 1.0600
RFQ
ECAD 840 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Трубка Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 50 млр
DSC6011JI1A-000.0000 Microchip Technology DSC6011JI1A-000.0000 -
RFQ
ECAD 3253 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 50 млр
DSC6112CE2A-000.0000 Microchip Technology DSC6112CE2A-000.0000 -
RFQ
ECAD 2964 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Трубка Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC1101CL5-PROG Microchip Technology DSC1101CL5-Prog 1.7280
RFQ
ECAD 7409 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1101 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC1101 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-DSC1101CL5-PROG Ear99 8542.39.0001 110 Rushyme oshydanyna (Power Down) Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс ± 10PPM - 3,3 мг ~ 170 мг -
DSC1500MA3A-PROGT Microchip Technology DSC1500MA3A-Progt -
RFQ
ECAD 6306 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC150X Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. - 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-VFLGA Xo (Стандарт) LVCMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА DOSTISH 150-DSC1500MA3A-Progttr Ear99 8542.39.0001 1000 Rushyme oshydanyna (Power Down) - 7,5 мая Мемс ± 20 aSteй naйцaх - 2,3 мг ~ 170 мг ± 20 aSteй naйцaх
DSC6102ME2A-000.0000T Microchip Technology DSC6102ME2A-000.0000T 0,9300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC6102HE1A-000.0000T Microchip Technology DSC6102HE1A-000.0000T 0,9900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 1 мг ~ 100 мгн ± 50 млр
DSC6112HI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6112HI2A-000.0000T 1.0700
RFQ
ECAD 284 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC6003CI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6003CI2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 8163 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 1 мг ~ 80 мгест ± 25plm
DSC6003ME2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6003ME2A-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 1401 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX МАССА Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 1,3 мана (теп) Мемс - - 1 мг ~ 80 мгест ± 25plm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе