SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Wshod Napraheneee - posta Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
DSC6101JI1A-000.0000 Microchip Technology DSC6101JI1A-000.0000 -
RFQ
ECAD 3323 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 1 мг ~ 100 мгн ± 50 млр
DSC6112JE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6112JE2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 7229 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC610RA3A-PROG Microchip Technology DSC610RA3A-Prog -
RFQ
ECAD 3356 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Трубка Актифен DSC610 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 Мемс
DSC8001CI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8001CI2-PROGRAMMIRUEEMый 9.2000
RFQ
ECAD 2004 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4662-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 12.2ma Мемс - - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест ± 25plm
DSC1200BL3-PROG Microchip Technology DSC1200BL3-Prog 2.0280
RFQ
ECAD 9318 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC1200 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC1200 - 2,25 -3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-DSC1200BL3-Prog Ear99 8542.39.0001 72 Rushyme oshydanyna (Power Down) Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) Мемс - - 2,5 мг ~ 450 мг ± 20 aSteй naйцaх
DSC8003CL5 Microchip Technology DSC8003CL5 -
RFQ
ECAD 7125 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8003 Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8003 CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 15 май Мемс - - 1 мг ~ 150 мгест -
DSC8001DL5T Microchip Technology DSC8001DL5T -
RFQ
ECAD 7840 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8001 CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 12.2ma Мемс ± 10PPM - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест -
DSC6001JE1A-000.0000 Microchip Technology DSC6001JE1A-000.0000 -
RFQ
ECAD 9616 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Трубка Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 50 млр
DSC6111JI2A-000.0000 Microchip Technology DSC6111JI2A-000.0000 -
RFQ
ECAD 7556 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC6101MI1A-000.0000T Microchip Technology DSC6101MI1A-000.0000T 0,9000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 1 мг ~ 100 мгн ± 50 млр
DSC8002CC1-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8002CC1-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 8478 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8002 Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4674 Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 10 май Мемс - - 1 мка 1 мг ~ 150 мгест ± 50 млр
DSC6003HI1A-000.0000T Microchip Technology DSC6003HI1A-000.0000T -
RFQ
ECAD 9883 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 мм х 1,20 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 1 мг ~ 80 мгест ± 50 млр
DSC6112JI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6112JI2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 8328 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC6112ME2A-000.0000T Microchip Technology DSC6112ME2A-000.0000T 0,9300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC1201BA3-PROG Microchip Technology DSC1201BA3-Prog 1.5600
RFQ
ECAD 5207 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC12X1 Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC1201 CMOS 2,25 -3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-DSC1201BA3-PROG Ear99 8542.39.0001 72 Rushyme oshydanyna (Power Down) Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 27 май (тип) Мемс - - 2,5 мг ~ 170 мг ± 20 aSteй naйцaх
DSC8102BI5 Microchip Technology DSC8102BI5 18.8100
RFQ
ECAD 14 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8102 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8102 Lvpecl 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4696 Ear99 8542.39.0001 72 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 58 май Мемс - - 10 мг ~ 460 мгест ± 10PPM
DSC6112MI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6112MI1A-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 1954 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 3ma (typ) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 100 мгн ± 50 млр
DSC6101CI2A-000.0000 Microchip Technology DSC6101CI2A-000.0000 -
RFQ
ECAD 6463 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC1201CA3-PROG Microchip Technology DSC1201CA3-Prog 1.5360
RFQ
ECAD 7287 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC12X1 Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC1201 CMOS 2,25 -3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-DSC1201CA3-Prog Ear99 8542.39.0001 110 Rushyme oshydanyna (Power Down) Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 27 май (тип) Мемс - - 2,5 мг ~ 170 мг ± 20 aSteй naйцaх
DSC8121AI5T Microchip Technology DSC8121AI5T -
RFQ
ECAD 3136 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8121 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8121 CMOS 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 35 май Мемс ± 10PPM - 22 май 10 мг ~ 100 мгн -
DSC6013CI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC6013CI2A-PROGRAMMIRUEEMый -
RFQ
ECAD 9707 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 25plm
DSC8124AI2T Microchip Technology DSC8124AI2T -
RFQ
ECAD 7913 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8124 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 мм х 5,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-smd, neot stanцvoй proklaudky Xo (Стандарт) DSC8124 HCSL 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 42 май Мемс ± 25plm - 22 май 10 мг ~ 460 мгест -
DSC8001CL5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8001CL5-PROGRAMMIRUEEMый 10.2600
RFQ
ECAD 3086 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 576-4665-programmirueemый Ear99 8542.39.0001 1 Poddershivath Зaprogrammirowano sic (взволнованный 12.2ma Мемс - - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест ± 10PPM
DSC6101CI1A-000.0000 Microchip Technology DSC6101CI1A-000.0000 0,8500
RFQ
ECAD 735 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 110 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 1 мг ~ 100 мгн ± 50 млр
DSC8001CI2B Microchip Technology DSC8001CI2B -
RFQ
ECAD 5288 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8001 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) DSC8001 CMOS 1,8 В ~ 3,3 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 12.2ma Мемс ± 25plm - 15 Мка 1 мг ~ 150 мгест -
DSC6101MI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6101MI2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 4867 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC61XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 мм х 1,60 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 3ma (typ) Мемс - - 1 мг ~ 100 мгн ± 25plm
DSC6003CE1A-000.0000T Microchip Technology DSC6003CE1A-000.0000T -
RFQ
ECAD 3385 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 1 мг ~ 80 мгест ± 50 млр
DSC8104BI2 Microchip Technology DSC8104BI2 4.2600
RFQ
ECAD 226 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC8104 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 мм х 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 6-VDFN Xo (Стандарт) DSC8104 HCSL 2,25 -3,6 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 576-4707 Ear99 8542.39.0001 72 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 42 май Мемс - - 10 мг ~ 460 мгест ± 25plm
DSC6013JI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6013JI2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 6639 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 Poddershivath Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 12 Мка 1 мг ~ 80 мгест ± 25plm
DSC6003JI1A-000.0000 Microchip Technology DSC6003JI1A-000.0000 -
RFQ
ECAD 1986 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSC60XX Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,89 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA Xo (Стандарт) CMOS 1,71 В ~ 3,63 В. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 140 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Пехо (polahovatelhe dolhenenenenenenprogrammirowath) 1,3 мана (теп) Мемс - - 1 мг ~ 80 мгест ± 50 млр
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе